68697人已查看 《JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH》 期刊2024最新IF预测值
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2024年02月发布的2024版
不在预警名单中
2023年01月发布的2023版
不在预警名单中
2021年12月发布的2021版
不在预警名单中
2020年12月发布的2020版
不在预警名单中
2025年预警名单预测
无异常数据 期刊预警概率很低
结果仅供参考
*来源:中科院《 国际期刊预警名单》
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大类学科
小类学科
Top期刊
综述期刊
2023年12月最新升级版
材料科学4区
CRYSTALLOGRAPHY
晶体学
3区
PHYSICS, APPLIED
物理:应用
4区
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
4区
否
否
2022年12月升级版
材料科学3区
CRYSTALLOGRAPHY
晶体学
3区
PHYSICS, APPLIED
物理:应用
4区
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
4区
否
否
2021年12月升级版
物理4区
CRYSTALLOGRAPHY
晶体学
4区
PHYSICS, APPLIED
物理:应用
4区
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
4区
否
否
2021年12月升级版
材料科学3区
CRYSTALLOGRAPHY
晶体学
3区
PHYSICS, APPLIED
物理:应用
3区
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
4区
否
否
2020年12月升级版
材料科学3区
CRYSTALLOGRAPHY
晶体学
3区
PHYSICS, APPLIED
物理:应用
3区
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学:综合
4区
否
否
JCR分区
WOS分区等级:Q3区
版本
按学科
分区
WOS期刊SCI分区
WOS期刊SCI分区
WOS期刊SCI分区是指SCI官方(Web of
Science)为每个学科内的期刊按照IF数值排序,将期刊按照四等分的方法划分的Q1-Q4等级,Q1代表质量最高,即常说的1区期刊。
(2022-2023年最新版)
CRYSTALLOGRAPHY
Q3
PHYSICS, APPLIED
Q3
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
Q3
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期刊介绍
The journal offers a common reference and publication source for workers engaged in research on the experimental and theoretical aspects of crystal growth and its applications, e.g. in devices. Experimental and theoretical contributions are published in the following fields: theory of nucleation and growth, molecular kinetics and transport phenomena, crystallization in viscous media such as polymers and glasses; crystal growth of metals, minerals, semiconductors, superconductors, magnetics, inorganic, organic and biological substances in bulk or as thin films; molecular beam epitaxy, chemical vapor deposition, growth of III-V and II-VI and other semiconductors; characterization of single crystals by physical and chemical methods; apparatus, instrumentation and techniques for crystal growth, and purification methods; multilayer heterostructures and their characterisation with an emphasis on crystal growth and epitaxial aspects of electronic materials. A special feature of the journal is the periodic inclusion of proceedings of symposia and conferences on relevant aspects of crystal growth.
Influence of Si doping of GaN layers surrounding InGaN quantum wells on structure photoluminescence properties
来源期刊:Journal of Crystal Growth
DOI:10.1016/J.JCRYSGRO.2018.10.013
Numerical simulation of heat and mass transfer during Czochralski silicon crystal growth under the application of crystal-crucible counter- and iso-rotations
来源期刊:Journal of Crystal Growth
DOI:10.1016/J.JCRYSGRO.2018.10.049
Initial stages of the epitaxial growth of AlN on GaN (1 1 1)-(2 × 2) surface: Ab-initio studies
来源期刊:Journal of Crystal Growth
DOI:10.1016/J.JCRYSGRO.2018.12.008
Fabrication of a p-type Cu2O thin-film via UV-irradiation of a patternable molecular-precursor film containing Cu(II) complexes
来源期刊:Journal of Crystal Growth
DOI:10.1016/J.JCRYSGRO.2018.12.036
Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals
做的计算方面的课题。
2022.6.10 with editor
2022.8.10 under review
2022.9.02 minor revise,一共两个审稿人,12条意见,需要补一点数据但是不算难。
2022.9.06 submit revised manuscript to jouranl.
2022.9.11 accept.
2.28 submitted to journal<br />3.1 manuscript number assiged<br />3.3 technical check in progress<br />3.6 with editor<br />3.13 under review<br />......